Samsung SSD 850 Evo 500GB 2.5" SATA 6Gb/s 540MB/s

MZ-75E500B/EU

COMPONENTES - Disco Interno Sólido SSD - SAMSUNG HDI25 500GB SAM MZ-75E500B - DISCO DURO SSD 500GB 2.5' SAMSUNG SERIE 850 EVO BASIC MZ-75E500B/EU

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Características

Tecnología 3D V-NAND 3D V-NAND es la nueva arquitectura de las memorias flash unica y exclusiva de Samsung, que supera la limitación de la densidad y la resistencia de la arquitectura NAND convencional. 3D V-NAND se fabrica ampliando 32 capas de células verticalmente una sobre la otra, en lugar de disminuir las dimensiones de las células. TurboWrite Lograr el mayor rendimiento de lectura/escritura no es una taréa facil. De esta manera Samsung a introducido en la tecnología TurboWrite que ofrece un 10% mas de rendimiento en un SSD 850 EVO que cualquier usuario con un SSD 840 EVO. El 850 EVO ofrece una velocidad superior, 540MB/s de lectura y 520MB/s de escritura. Modo RAPID El software Magician de Samsung hace que su SSD rinda al maximo, gracias a su incremento en la memoria caché de hasta 4GB. AES256 El 850 EVO viene fortificado con el ultimo motor de cifrado basado en hardware. la tecnología de encriptación AES 256bits protege los datos sin ninguna degradación del rendimiento y cumple con TCG Opal 2.0. Tambien es compatible con es estandard Microsoft IEEE1667 lo que sus datos estaran siempre protegidos.Especificaciones:Capacidad 500GB Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm) Interfaz SATA 6Gb/s SATA 3Gb/s SATA 1.5Gb/s Formato 2.5 inch Controller 500: Samsung MGX controller NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND DRAM Memoria Caché 512MB (500GB) Rendimiento Lectura Secuencial Max. 540 MB/s Escritura Secuencial Max. 520 MB/s 4KB Lectura Aleatoria(QD1) Max. 10,000 IOPS 4KB Escritura Aleatoria (QD1) Max. 40,000 IOPS 4KB Lectura Aleatoria (QD32) Max. 98,000 IOPS(500GB) 4KB Escritura Aleatoria (QD32) Max. 90,000 IOPS(500GB) Cifrado AES 256-bit Encriptado completo (FDE) TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) Peso. 66g VIda Utíl MTBF: 1.5 million hours TBW 500: 150TBW Idle: Max. 50mW Modo Hibernación: 2mW(500GB) Temperatura Operativa: 0°C to 70°C No-Operativo: -40°C to 85°C Humedad 5% a 95% No-condensada Vibración no operativo: 20~2000Hz, 20G Golpe No operativo: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis

Hoja de datos

Color del productoNegro
Consumo de energía (lectura)0,1 W
Intervalo de temperatura de almacenaje40 - 85 °C
Ancho69,8 mm
Soporte S.M.A.R.T.Si
Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
Lectura aleatoria (4KB)98000 IOPS
Velocidad de lectura540 MB/s
Interfaces de disco de estado sólidoSerial ATA III
InternoSi
Soporte TRIMSi
Altura6,8 mm
Golpe (fuera de operación)1500 G
Consumo de energía (escritura)0,1 W
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Profundidad100 mm
Consumo de energía (espera)0,045 W
Tiempo medio entre fallos1500000 h
SSD form factor2.5"
Velocidad de escritura520 MB/s
Disco de estado sólido, capacidad500 GB
Unidad, tamaño de búfer512 MB
Escritura aleatoria (4KB)90000 IOPS
Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
Vibración no operativa20 G
Sistema operativo Windows soportadoSi
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
  • Reasons to buy
  • 3D Tour
  • Videos
  • Reviews
  • Disclaimer
  • Reseñas

    Peso y dimensiones
    Ancho69,8 mm
    Profundidad100 mm
    Altura6,8 mm
    Control de energía
    Consumo de energía (lectura)0,1 W
    Consumo de energía (escritura)0,1 W
    Consumo de energía (espera)0,045 W
    Detalles técnicos
    Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
    Intervalo de temperatura de almacenaje40 - 85 °C
    Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
    Golpe (fuera de operación)1500 G
    Vibración no operativa20 G
    Sistema operativo/software
    Sistema operativo Windows soportadoSi
    Otras características
    InternoSi
    Diseño
    SSD form factor2.5"
    Color del productoNegro
    Desempeño
    Disco de estado sólido, capacidad500 GB
    Interfaces de disco de estado sólidoSerial ATA III
    Velocidad de lectura540 MB/s
    Velocidad de escritura520 MB/s
    Unidad, tamaño de búfer512 MB
    Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
    Lectura aleatoria (4KB)98000 IOPS
    Escritura aleatoria (4KB)90000 IOPS
    Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
    Soporte S.M.A.R.T.Si
    Soporte TRIMSi
    Tiempo medio entre fallos1500000 h

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