KINGSTON SO-DIMM 4GB DDR3-1600

KVR16S11S8/4

KINGSTON - MEMORIA KINGSTON - 4GB - DDR3-1600MHZ - SODIMM - 204PIN - LATENCIA 11 - 1.5V

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Características

  • Fuente de alimentación: JEDEC estándar de 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
  • VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
  • 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin
  • 8 bancos internos independientes
  • Latencia CAS programable: 11, 10, 9, 8, 7, 6
  • Latencia Additive programable: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
  • 8-bit pre-fetch
  • Longitud de ráfaga: 8 (Intervalo sin limite, secuencial solo con dirección inicial '000'), 4 con tCCD = 4 que no permite lecturas o escrituras transparentes [o al vuelo usando A12 o MRS]
  • Diferencial de datos Strobe Bi-direccional
  • Calibración interna (Auto): Autocalibración interna mediante pin ZQ (RZQ : 240 ohm ± 1%)
  • Terminación 'On Die' usando pin ODT
  • Promedio periodo de actualizacion 7.8us a un menor que TCASE 85ºC, 3.9us a 85ºC <TCASE <95ºC
  • Reset Asíncrono
  • PCB : Alto 1.180? (30.00mm), componentes a doble cara

  • Especificaciones tecnicas

    • CL(IDD): 11 ciclos
    • Tiempo de ciclo fila (tRCmin): 48.125ns (min.)
    • Actualizar a Active/Refresh tiempo comando (tRFCmin): 260ns (min.)
    • Tiempo de ciclo fila (tRASmin) 35ns (min.)
    • Potencia máxima de funcionamiento 2.100 W (Potencia variará dependiendo de la SDRAM utilizado)
    • UL Rating 94 V - 0
    • Temperatura de funcionamiento 0º C to 85º C
    • Temperatura de almacenamiento -55º C to +100º C

    Hoja de datos

    Indicación de errorNo-ECC
    Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
    Clasificación de memoria1
    Configuración de módulos512M X 64
    Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
    Tipo de memoria internaDDR3
    Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
    ECCNo
    Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
    Organización de los chipsX8
    Altura3 cm
    Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
    Ancho6,76 cm
    Tipo de embalajeSO-DIMM
    Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
    Componente paraPortátil
    Placa de plomoOro
    Tiempo activo en fila35 ns
    Montaje en rack204-pin SODIMM
    Memoria sin bufferSi
    Ancho de datos64 bit
    Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
    RegistradoNo
    Velocidad del reloj de bus1600 MHz
    Disposición de memoria1 x 4096 MB
    Voltaje de memoria1.5 V
    GarantíaLifetime
    Memoria interna4096 MB
    Latencia CAS11
  • Reviews
  • Reseñas

    Memoria
    Tipo de memoria internaDDR3
    Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
    Componente paraPortátil
    Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
    Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
    Latencia CAS11
    Voltaje de memoria1.5 V
    ECCNo
    RegistradoNo
    Ancho de datos64 bit
    Placa de plomoOro
    Configuración de módulos512M X 64
    Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
    Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
    Tiempo activo en fila35 ns
    Tipo de embalajeSO-DIMM
    Memoria sin bufferSi
    Clasificación de memoria1
    Peso y dimensiones
    Ancho6,76 cm
    Altura3 cm
    Condiciones ambientales
    Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
    Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
    Otras características
    Organización de los chipsX8
    Velocidad del reloj de bus1600 MHz
    Indicación de errorNo-ECC
    Montaje en rack204-pin SODIMM
    Disposición de memoria1 x 4096 MB
    Memoria interna4096 MB
    GarantíaLifetime

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