THINKSTATION 180GB ACCS

0B47308

SOLID STATE DRIVE

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Características

S607HX3

Hoja de datos

Golpes en funcionamiento1500 G
Litografía25 nm
Vibración no operativa3,13 G
CertificaciónCE, UL, MIC, TUV, BSMI, C-Tick, CUL
Altura7 mm
Acorde RoHSSi
Color del productoAluminio
InternoSi
Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
Consumo de energía (espera)0,6 W
Ancho6,99 cm
SSD form factor2.5"
Disco de estado sólido, capacidad180 GB
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
Velocidad de lectura550 MB/s
Latencia (de lectura)80 µs
Vibración operativa2,17 G
Tiempo medio entre fallos1200000 h
Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
Cola de comandos nativos (NCQ)Si
Golpe (fuera de operación)1500 G
Peso78 g
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
Consumo de energía (lectura)0,85 W
Profundidad10 cm
Soporte S.M.A.R.T.Si
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 95 °C
Velocidad de escritura520 MB/s
Latencia (de escritura)85 µs
Interfaces de disco de estado sólidoSerial ATA III
Tipo de memoriaMLC
  • Reasons to buy
  • 3D Tour
  • Videos
  • Reviews
  • Disclaimer
  • Reseñas

    Peso y dimensiones
    Ancho6,99 cm
    Profundidad10 cm
    Altura7 mm
    Peso78 g
    Control de energía
    Consumo de energía (lectura)0,85 W
    Consumo de energía (espera)0,6 W
    Condiciones ambientales
    Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
    Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 95 °C
    Intervalo de humedad relativa para funcionamiento5 - 95%
    Intervalo de humedad relativa durante almacenaje5 - 95%
    Golpes en funcionamiento1500 G
    Golpe (fuera de operación)1500 G
    Vibración operativa2,17 G
    Vibración no operativa3,13 G
    Diseño
    InternoSi
    SSD form factor2.5"
    Color del productoAluminio
    Acorde RoHSSi
    CertificaciónCE, UL, MIC, TUV, BSMI, C-Tick, CUL
    Desempeño
    Disco de estado sólido, capacidad180 GB
    Interfaces de disco de estado sólidoSerial ATA III
    Velocidad de lectura550 MB/s
    Velocidad de escritura520 MB/s
    Tipo de memoriaMLC
    Litografía25 nm
    Velocidad de transferencia de datos6 Gbit/s
    Latencia (de lectura)80 µs
    Latencia (de escritura)85 µs
    Soporte S.M.A.R.T.Si
    Cola de comandos nativos (NCQ)Si
    Tiempo medio entre fallos1200000 h

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