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Samsung SSD 850 Evo 1TB mSaTa 6GB/s interno 540MB/s-mega componentes
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Samsung SSD 850 Evo 1TB mSaTa 6GB/s interno 540MB/s

MZ-M5E1T0BW 8806086585699

5 años / 75TBW

372,95 €
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A destacar:
1000 GB mini-SATA 540 MB/s 6 Gbit/s

Arquitectura 3D V-NAND


La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.

Trabaje más rápido gracias a TurboWrite


La tecnología TurboWrite ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de su ordenador. Disfrute de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
*PCmark7 (250 GB ) : 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
**Escritura aleatoria (QD32,120 GB) : 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Resistencia garantizada


Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
*TBW: Bytes totales escritos
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)
***Rendimiento constante (250 GB) : 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.

Potencia y rendimiento


El software Magician de esta unidad SSD 850 EVO mSATA ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutará del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
*PCMARK7 RAW (250 GB) : 7.500 > 15.000 (Rapid mode)

Trabaje por más tiempo


Trabaje en su portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
*Consumo (250 GB) : 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Proteja sus datos con una encriptación más segura


La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo su información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que su información estará siempre segura.

Olvídese del sobrecalentamiento


La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de sus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de su equipo.

Instalación sencilla


Gracias al software One-stop Install Navigator, podrá migrar todos sus datos y aplicaciones desde donde estén a los SSD 850 EVO. Y gracias al software Samsung Magician optimizará y gestionará su sistema de la forma más eficiente.

Componentes de la mayor calidad


Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento y menores fallos de compatibilidad.
MZ-M5E1T0BW
34 Productos
Nuevo
2018-10-15

Especificaciones

calificación TBW
150
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Ancho
30 mm
Lectura aleatoria (4KB)
97000 IOPS
Peso
9,07 g
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Disco de estado sólido, capacidad
1000 GB
Velocidad de escritura
520 MB/s
Velocidad de transferencia de datos
6 Gbit/s
Voltaje de operación
5 V
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Altura
50,8 mm
Escritura aleatoria (4KB)
88000 IOPS
Profundidad
38,1 mm
Soporte TRIM
Si
Interfaces de disco de estado sólido
mini-SATA
Velocidad de lectura
540 MB/s
Interno
Si
Peso y dimensiones
Ancho 30 mm
Profundidad 38,1 mm
Altura 50,8 mm
Peso 9,07 g
Control de energía
Voltaje de operación 5 V
Otras características
Interno Si
Desempeño
Disco de estado sólido, capacidad 1000 GB
Interfaces de disco de estado sólido mini-SATA
Velocidad de lectura 540 MB/s
Velocidad de escritura 520 MB/s
Velocidad de transferencia de datos 6 Gbit/s
Lectura aleatoria (4KB) 97000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 88000 IOPS
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
calificación TBW 150
Tiempo medio entre fallos 1500000 h

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