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Samsung MZ-V7E1T0. Disco de estado sólido, capacidad: 1000 GB. Factor de forma de disco SSD: M.2. Interfaces de disco de estado sólido: PCI Express 3.0, Velocidad de lectura: 3400 MB/s, Velocidad de escritura: 2500 MB/s, Componente para: PC
MZ-V7E1T0BW
150 Productos
Nuevo
2018-12-09

Especificaciones

Lectura aleatoria (4KB)
500000 IOPS
Opal SSC 2.0
Si
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Golpe (fuera de operación)
1500 G
Ancho
80,2 mm
Soporte S.M.A.R.T.
Si
Intervalo de temperatura de almacenaje
-45 - 85 °C
Compatible con NVM Express (NVMe)
Si
Acorde RoHS
Si
Velocidad de escritura
2500 MB/s
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
Versión NVM Express (NVMe)
1.3
Disco de estado sólido, capacidad
1000 GB
Consumo de energía (lectura)
6 W
Tipo de memoria
3D MLC
Tipo de flash NAND
MLC (Multi Level Cell)
Factor de forma de disco SSD
M.2
Vibración no operativa
20 G
Color del producto
Negro
Escritura aleatoria (4KB)
450000 IOPS
TCG Opal 2.0
Si
Componente para
PC
Voltaje de operación
3,3 V
Altura
22,1 mm
Soporte TRIM
Si
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento
5 - 95%
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
5 mW
Profundidad
2,38 mm
Tipo de controlador
Samsung Phoenix
Tiempo medio entre fallos
15000000 h
Carriles datos de interfaz PCI Express
x4
Interfaces de disco de estado sólido
PCI Express 3.0
Consumo de energía (escritura)
6 W
Velocidad de lectura
3400 MB/s

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